晶間腐蝕的原理主要有以下兩種：

　　(1)貧化理論

　　對于不同的材料，其貧化的成分是不同的，如不銹鋼材料主要是貧鉻，鋁銅合金是貧銅等。

　　對于含碳量較高的不銹鋼材料，為獲得均勻固溶體，調(diào)節(jié)閥在出廠時已經(jīng)固溶處理，奧氏體中的碳是過飽和的，這種固溶體不穩(wěn)定，當(dāng)它在敏化溫度范圍(500~850℃)內(nèi)，奧氏體中過飽和固溶的碳將迅速向晶界擴(kuò)散，并與Cr生成Cr23C6，沿著能量較高的晶界沉淀析出。

　　Cr23C6中的鉻含量要比奧氏體基體中的鉻含量高很多，它的析出消耗了晶界附近大量的鉻。鉻的擴(kuò)散速度很慢，使消耗的鉻不能從晶粒中及時得到補(bǔ)充，導(dǎo)致晶界附近的含Cr量低于維持鈍化必須的限量(12%Cr)，形成貧鉻區(qū)，鈍態(tài)遭破壞而處于活化狀態(tài)，它和晶粒間構(gòu)成了活態(tài)-鈍態(tài)腐蝕電池，也具有大陰極-小陽極的面積比，從而使晶界附近貧鉻區(qū)發(fā)生嚴(yán)重的腐蝕，如圖7-5、圖7-6所示。

　　(2)晶界雜質(zhì)選擇溶解理論

　　某些固溶態(tài)的奧氏體不銹鋼在強(qiáng)氧化性介質(zhì)中也會發(fā)生晶間腐蝕，這可以是在晶界上偏析磷、硅等微量雜質(zhì)的優(yōu)先溶解所致;也可以是由于沿晶界

　　相析出的選擇性溶解而引起。電動調(diào)節(jié)閥這種非敏化型晶間腐蝕的形貌特征是晶間區(qū)腐蝕寬度較寬，深度較淺，易產(chǎn)生晶粒脫落，有時伴有全面腐蝕。

　　上述兩種理論，各自適用于一定的合金組織狀態(tài)和一定的介質(zhì)條件，不是相互排斥而是相互補(bǔ)充的。

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